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05/06/2023 - Bruno Le Maire annonce le début de la production de la méga-usine de semi-conducteurs portée par GlobalFoundries et STMicroelectronics à Crolles et signe le contrat d’aide de l’Etat au projet
5 Juin 2023 | Communiqué de presse
COMMUNIQUE DE PRESSE
Paris, le 5 juin 2023
N°904
France 2030 | Bruno Le Maire annonce le début de la production de la méga-usine de semi-conducteurs portée par GlobalFoundries et STMicroelectronics à Crolles et signe le contrat d’aide de l’Etat au projet
Bruno Le Maire, ministre de l’Economie, des Finances et de la Souveraineté industrielle et numérique, a annoncé ce jour, au côté de Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics, et de Thomas Caulfield, président-directeur général de GlobalFoundries, le début de la production de la nouvelle usine de composants semi-conducteurs, portée par les deux entreprises à Crolles, dans la région grenobloise ainsi que la signature du contrat d’aide de l’Etat.
L’investissement total de ce projet, annoncé à l’occasion d’un déplacement du président de la République en juillet 2022, s’élève à près de 7,5 milliards d’euros, et bénéficie d’un soutien de l’Etat à hauteur d’un maximum de 2,9 milliards d’euros. Le soutien de l’Etat est provisionné dans le volet semi-conducteurs de France 2030, qui représente un total de 5,5 milliards d’euros sur cinq ans et qui permettra à la fois de doubler la production de puces en France d’ici 2028 et de déclencher près de 18 milliards d’euros d’investissements sur le territoire. Par ailleurs, si l’usine est plus rentable que prévu, une part de cette aide d’Etat sera remboursée aux autorités publiques.
L’objectif de ce projet est d’augmenter les capacités de production françaises de 620 000 wafers[1] par an à l’horizon 2028. Il vise notamment à atténuer les tensions d’approvisionnement, en ajoutant pratiquement 6 % de nouvelles capacités de production à la capacité européenne existante sur l’ensemble des nœuds technologiques et jusqu’à 41 % sur les nœuds d’une finesse de gravure de 20nm à 65nm. La nouvelle usine a débuté sa production en juin 2023, soit moins d’un an après l’annonce de l’investissement, et montera progressivement en puissance.
Validé par la Commission européenne le 28 avril dernier, cet investissement contribuera au renforcement de la résilience de la France et de l’Europe en matière d’approvisionnement en semi-conducteurs, en cohérence avec le règlement européen du Chips Act. L’investissement permettra ainsi de développer fortement l'écosystème technologique FD-SOI[2] français par la fourniture de composants économes en énergie, hautement performants, sécurisés et fiables, pour les principaux secteurs industriels européens (automobile, industrie, télécommunications pour la 5G/6G, IoT, spatial…). De par son échelle, ses performances, et les technologies qui y seront produites, cette usine sera l’unité la plus avancée en Europe sur la technologie FD-SOI.
Dans le cadre de ce projet, les deux entreprises s’engagent à un niveau d’excellence en matière environnementale (consommation d’électricité, émissions directes et indirectes de CO2, consommation en eau et recyclage). Le projet poursuit également des objectifs socio-économiques forts avec la création de 1 000 emplois et la formation d’alternants. Sur demande de l’Etat, les entreprises devront également prioriser certaines commandes, allant jusqu’à 5% des capacités annuelles de production, afin de servir des besoins souverains, de sécurité nationale, ou des besoins spécifiques aux TPE et aux PME.
Enfin, au-delà des objectifs de renforcement des capacités de production, auxquels ce projet contribue directement, la France engage également par ce biais des investissements majeurs s’agissant des activités de recherche et de développement pour la filière électronique, notamment le développement de semi-conducteurs FD-SOI de gravure fine (10nm) avec le CEA.
Contacts presse
Cabinet de Bruno Le Maire : 01 53 18 41 13 - presse.mineco@cabinets.finances.gouv.fr
Direction générale des Entreprises : 01 44 97 04 49 – presse.dge@finances.gouv.fr
Secrétariat général pour l’investissement : 01 42 75 64 58 – presse.sgpi@pm.gouv.fr
À propos de France 2030
- Traduit une double ambition : transformer durablement des secteurs clefs de notre économie (santé, énergie, automobile, aéronautique ou encore espace) par l’innovation technologique, et positionner la France non pas seulement en acteur, mais bien en leader du monde de demain. De la recherche fondamentale, à l’émergence d’une idée jusqu’à la production d’un produit ou service nouveau, France 2030 soutient tout le cycle de vie de l’innovation jusqu’à son industrialisation.
- Est inédit par son ampleur : 54 Md€ seront investis pour que nos entreprises, nos universités, nos organismes de recherche, réussissent pleinement leurs transitions dans ces filières stratégiques. L’enjeu : leur permettre de répondre de manière compétitive aux défis écologiques et d’attractivité du monde qui vient, et faire émerger les futurs leaders de nos filières d’excellence. France 2030 est défini par deux objectifs transversaux consistant à consacrer 50 % de ses dépenses à la décarbonation de l’économie, et 50% à des acteurs émergents, porteurs d’innovation sans dépenses défavorables à l’environnement (au sens du principe Do No Significant Harm).
- Sera mis en œuvre collectivement : pensé et déployé en concertation avec les acteurs économiques, académiques, locaux et européens pour en déterminer les orientations stratégiques et les actions phares. Les porteurs de projets sont invités à déposer leur dossier via des procédures ouvertes, exigeantes et sélectives pour bénéficier de l’accompagnement de l’Etat.
- Est piloté par le Secrétariat général pour l’investissement pour le compte de la Première ministre et mis en œuvre par l’Agence de la transition écologique (ADEME), l’Agence nationale de la recherche (ANR), Bpifrance et la Banque des Territoires.
Plus d’informations sur : france2030.gouv.fr | @SGPI_avenir
[1] Plaques rondes composées de matériaux semi-conducteurs (ici du silicium) sur lesquelles sont gravés les composants de micro-électronique.
[2] Fully Depleted Silicium On Insulator : Technologie reposant sur l’ajout d’une fine couche d’oxyde de silicium isolant à l’architecture classique des transistors.